MRI扫描在精神分裂症中检测'脑生锈'

据美国神经脑能学院年会在佛罗里达州好莱坞的年度会议上介绍，大脑中大脑的损伤化学性不平衡可能导致精神分裂症。

使用一种新的MRI测量，神经科学家报告了更高的水平氧化应激在患者中精神分裂症，与健康个体和具有双相障碍的人相比。

“对脑细胞的密集能量需求导致高度积累反应性氧气（如自由基和过氧化氢），“根据研究的牵头调查员，哈佛医学院精神病学助理教授Fei day博士。在精神分裂症中，过度氧化 - 这涉及相同类型的化学反应，导致金属的化学反应。导致金属的相同类型的化学反应腐蚀到锈蚀 - 被广泛思考引起炎症和细胞损伤。然而，在活的人类大脑中测量这个过程一直在挑战。

蒙克莱恩医院的杜和同事使用新型磁共振光谱技术测量氧化应激。该技术使用MRI扫描仪对两种分子，NAD +和NADH的非侵入性测量脑浓度，这使得读出大脑能够缓冲过度氧化剂的血液读出。

在21例患者中慢性精神分裂症，与类似年龄的健康个体相比，杜观察了NADH的53％的高度。在新诊断的精神分裂症中，表明即使在疾病的早期阶段也存在氧化不平衡的类似程度。还可以看到更适度的NADH增加躁郁症，它与精神分裂症分享一些遗传和临床重叠。

除了向精神分裂症生物学提供新的见解外，该发现还提供了测试新干预措施的有效性的潜在方法。“我们希望这项工作能够导致新的策略来保护大脑免受氧化压力和改善脑精神分裂症的功能，“杜结束。

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